OSU setzt auf Aixtron-Technologie für bahnbrechende Galliumoxid-Forschung
OSU setzt auf Aixtron-Technologie für bahnbrechende Galliumoxid-Forschung
Die Ohio State University (OSU) hat sich für ein hochmodernes MOCVD-System des deutschen Herstellers Aixtron entschieden, um ihre Forschung an Galliumoxid voranzutreiben. Dieser Schritt unterstreicht die wachsende Bedeutung des Materials für die nächste Generation der Leistungselektronik. Während viele Unternehmen weiterhin auf herkömmliche Werkstoffe setzen, treibt Aixtron die Entwicklung dieser aufstrebenden Technik bereits aktiv voran.
Das Close Coupled Showerhead®-System (CCS) von Aixtron wird im Nanotech West Lab der OSU installiert, das zum Institute for Materials and Manufacturing Research gehört. Die Anlage ist speziell auf die epitaktische Abscheidung von Galliumoxid und Aluminium-Galliumoxid auf 100-Millimeter-Substraten ausgelegt. Ihr Design garantiert die Herstellung hochwertiger, gleichmäßiger Materialien – eine entscheidende Voraussetzung für die Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen.
Galliumoxid gilt als vielversprechendes Material für die Leistungselektronik, insbesondere in Hochspannungs- und Extremtemperaturanwendungen. Im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern bietet es eine höhere Effizienz und Langlebigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen. Mit der Investition in Aixtrons Technologie festigt die OSU die Position des Unternehmens als führenden Anbieter von MOCVD-Systemen für die Galliumoxid-Forschung.
Die Entscheidung fügt sich in globale Bestrebungen ein, das Potenzial von Galliumoxid zu erschließen. In Europa startete das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin im September 2024 das G.O.A.L.-Projekt, dessen erste Ergebnisse bis April 2025 erwartet werden. Gleichzeitig baut das britische CISM eine eigene Forschungsplattform für Galliumoxid auf – vermutlich unter Einsatz ähnlicher MOCVD-Systeme. Auch das japanische Unternehmen Novel Crystal Technology (NCT) und das US-amerikanische Start-up Gallox treiben die kommerzielle Nutzung des Materials voran.
Die Installation des Aixtron-CCS-Systems an der OSU markiert einen wichtigen Meilenstein in der Galliumoxid-Forschung. Die Fähigkeit der Technologie, hochwertige Schichten herzustellen, wird die Entwicklung effizienterer Leistungselektronik unterstützen. Angesichts der weltweiten Investitionen in diese Systeme dürfte Galliumoxid eine zentrale Rolle in der zukünftigen Heidelberg Materials spielen.
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